Nexperia USA Inc. - PHN210T,118

KEY Part #: K6524819

PHN210T,118 Preços (USD) [3704pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.10396

Número da peça:
PHN210T,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHN210T,118 Atributos do produto

Número da peça : PHN210T,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 20V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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