[3734pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF5810TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5810TR electronic components. IRF5810TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5810TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5810TR Atributos do produto
Número da peça :
IRF5810TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 16V
Potência - Max :
960mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
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