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  5. EPC2103ENG

EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069pcs Estoque]

    Número da peça:
    EPC2103ENG
    Fabricante:
    EPC
    Descrição detalhada:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in EPC EPC2103ENG electronic components. EPC2103ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG Atributos do produto

    Número da peça : EPC2103ENG
    Fabricante : EPC
    Descrição : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Series : eGaN®
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
    Potência - Max : -
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : Die
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
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