[4110pcs Estoque]
- Número da peça:
- RJM0603JSC-00#12
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#12 electronic components. RJM0603JSC-00#12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJM0603JSC-00#12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJM0603JSC-00#12 Atributos do produto
Número da peça :
RJM0603JSC-00#12
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Recurso FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 10V
Potência - Max :
54W
Temperatura de operação :
175°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
20-HSOP
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