SI8902AEDB-T2-E1 Preços (USD) [278320pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13290
- Número da peça:
- SI8902AEDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1 electronic components. SI8902AEDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8902AEDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8902AEDB-T2-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8902AEDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
24V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
5.7W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-UFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
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