AUIRF7341QTR Preços (USD) [105048pcs Estoque]
- 1 pcs$0.37222
- 4,000 pcs$0.32302
- Número da peça:
- AUIRF7341QTR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7341QTR electronic components. AUIRF7341QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7341QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7341QTR Atributos do produto
Número da peça :
AUIRF7341QTR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Series :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
Potência - Max :
2.4W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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