[4676pcs Estoque]
- Número da peça:
- APTM100VDA35T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G electronic components. APTM100VDA35T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100VDA35T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM100VDA35T3G Atributos do produto
Número da peça :
APTM100VDA35T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
186nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 25V
Potência - Max :
390W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3
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