EPC2107ENGRT Preços (USD) [107742pcs Estoque]
- 1 pcs$0.37254
- 5,000 pcs$0.37069
- Número da peça:
- EPC2107ENGRT
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2107ENGRT electronic components. EPC2107ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2107ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2107ENGRT Atributos do produto
Número da peça :
EPC2107ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrição :
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
9-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
9-BGA (1.35x1.35)
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