Diodes Incorporated - DMN2016UTS-13

KEY Part #: K6525122

DMN2016UTS-13 Preços (USD) [377634pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09795
  • 2,500 pcs$0.08766

Número da peça:
DMN2016UTS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2016UTS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMN2016UTS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1495pF @ 10V
Potência - Max : 880mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSSOP

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