Infineon Technologies - BSL806NH6327XTSA1

KEY Part #: K6525473

BSL806NH6327XTSA1 Preços (USD) [481993pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07712
  • 3,000 pcs$0.07674

Número da peça:
BSL806NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL806NH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSL806NH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 11µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 10V
Potência - Max : 500mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSOP-6-6

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