[3906pcs Estoque]
- Número da peça:
- TPC8213-H(TE12LQ,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TPC8213-H(TE12LQ,M Atributos do produto
Número da peça :
TPC8213-H(TE12LQ,M
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
625pF @ 10V
Potência - Max :
450mW
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP (5.5x6.0)
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