[3937pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF8852TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF8852TRPBF electronic components. IRF8852TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8852TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF8852TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF8852TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.3 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1151pF @ 20V
Potência - Max :
1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSSOP
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