PHKD3NQ10T,518 Preços (USD) [4147pcs Estoque]
- 10,000 pcs$0.23477
- Número da peça:
- PHKD3NQ10T,518
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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PHKD3NQ10T,518 Atributos do produto
Número da peça :
PHKD3NQ10T,518
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 20V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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