[4154pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI1905BDH-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3 electronic components. SI1905BDH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1905BDH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1905BDH-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI1905BDH-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
62pF @ 4V
Potência - Max :
357mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-70-6 (SOT-363)
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