Nexperia USA Inc. - PMDPB58UPE,115

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PMDPB58UPE,115 Preços (USD) [478369pcs Estoque]

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Número da peça:
PMDPB58UPE,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDPB58UPE,115 Atributos do produto

Número da peça : PMDPB58UPE,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 804pF @ 10V
Potência - Max : 515mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-HUSON-EP (2x2)

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