QS8J12TCR Preços (USD) [307130pcs Estoque]
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- Número da peça:
- QS8J12TCR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS8J12TCR electronic components. QS8J12TCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS8J12TCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS8J12TCR Atributos do produto
Número da peça :
QS8J12TCR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 6V
Potência - Max :
550mW
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT8
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