DF23MR12W1M1B11BOMA1 Preços (USD) [998pcs Estoque]
- 1 pcs$46.57521
- Número da peça:
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET MODULE 1200V 25A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET MODULE 1200V 25A
Series :
CoolSiC™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
620nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 800V
Potência - Max :
20mW
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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