BSG0810NDIATMA1 Preços (USD) [83416pcs Estoque]
- 1 pcs$0.46874
- 5,000 pcs$0.46121
- Número da peça:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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BSG0810NDIATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSG0810NDIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 12V
Potência - Max :
2.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TISON-8
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