Infineon Technologies - BSG0810NDIATMA1

KEY Part #: K6525135

BSG0810NDIATMA1 Preços (USD) [83416pcs Estoque]

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Número da peça:
BSG0810NDIATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSG0810NDIATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSG0810NDIATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V
Potência - Max : 2.5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TISON-8

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