Vishay Siliconix - SI1917EDH-T1-E3

KEY Part #: K6524452

[3826pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI1917EDH-T1-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3 electronic components. SI1917EDH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1917EDH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1917EDH-T1-E3 Atributos do produto

    Número da peça : SI1917EDH-T1-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 100µA (Min)
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Potência - Max : 570mW
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-6 (SOT-363)