SIR770DP-T1-GE3 Preços (USD) [167720pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22053
- 3,000 pcs$0.20708
- Número da peça:
- SIR770DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SIR770DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIR770DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 15V
Potência - Max :
17.8W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
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