Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

KEY Part #: K6525304

BSZ0909NDXTMA1 Preços (USD) [181450pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.18695

Número da peça:
BSZ0909NDXTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0909NDXTMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSZ0909NDXTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 15V
Potência - Max : 17W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-WISON-8