Rohm Semiconductor - SH8J31GZETB

KEY Part #: K6525222

SH8J31GZETB Preços (USD) [135497pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.30177
  • 2,500 pcs$0.30027

Número da peça:
SH8J31GZETB
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SH8J31GZETB Atributos do produto

Número da peça : SH8J31GZETB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : 60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : -
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 10V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP

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