[856pcs Estoque]
- Número da peça:
- TK55D10J1(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 55A TO220W.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q) electronic components. TK55D10J1(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK55D10J1(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK55D10J1(Q) Atributos do produto
Número da peça :
TK55D10J1(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
140W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220(W)
Pacote / caso :
TO-220-3
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