BSR316PH6327XTSA1 Preços (USD) [541461pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06831
- 3,000 pcs$0.06389
- Número da peça:
- BSR316PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSR316PH6327XTSA1 electronic components. BSR316PH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSR316PH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSR316PH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSR316PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
360mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 170µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
165pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SC-59
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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