[86pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2SK2221-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America 2SK2221-E electronic components. 2SK2221-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK2221-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK2221-E Atributos do produto
Número da peça :
2SK2221-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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