IXTH80N20L Preços (USD) [9851pcs Estoque]
- 1 pcs$4.62421
- 60 pcs$4.60120
- Número da peça:
- IXTH80N20L
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 80A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTH80N20L electronic components. IXTH80N20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH80N20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH80N20L Atributos do produto
Número da peça :
IXTH80N20L
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
Series :
Linear™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6160pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 (IXTH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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