DMN1150UFB-7B Preços (USD) [1272399pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02907
- 10,000 pcs$0.02610
- Número da peça:
- DMN1150UFB-7B
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B electronic components. DMN1150UFB-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1150UFB-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1150UFB-7B Atributos do produto
Número da peça :
DMN1150UFB-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.41A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
106pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacote / caso :
3-UFDFN
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