IXTA3N50D2 Preços (USD) [32137pcs Estoque]
- 1 pcs$1.41024
- 10 pcs$1.26040
- 100 pcs$0.98053
- 500 pcs$0.79399
- 1,000 pcs$0.66963
- Número da peça:
- IXTA3N50D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA3N50D2 electronic components. IXTA3N50D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N50D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA3N50D2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA3N50D2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1070pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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