[3044pcs Estoque]
- Número da peça:
- CPMF-1200-S080B
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed CPMF-1200-S080B electronic components. CPMF-1200-S080B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPMF-1200-S080B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CPMF-1200-S080B Atributos do produto
Número da peça :
CPMF-1200-S080B
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Series :
Z-FET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
90.8nC @ 20V
Vgs (máx.) :
+25V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1915pF @ 800V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
313mW (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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