Infineon Technologies - IRLZ24NPBF

KEY Part #: K6402993

IRLZ24NPBF Preços (USD) [82036pcs Estoque]

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  • 100 pcs$0.27910
  • 500 pcs$0.20674
  • 1,000 pcs$0.16539

Número da peça:
IRLZ24NPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ24NPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLZ24NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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