ON Semiconductor - NVD5C478NLT4G

KEY Part #: K6392981

NVD5C478NLT4G Preços (USD) [293170pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12616

Número da peça:
NVD5C478NLT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
T6 40V DPAK EXPANSION AND.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVD5C478NLT4G Atributos do produto

Número da peça : NVD5C478NLT4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T6 40V DPAK EXPANSION AND
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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