FDB86102LZ Preços (USD) [111339pcs Estoque]
- 1 pcs$0.33220
- 800 pcs$0.23110
- Número da peça:
- FDB86102LZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDB86102LZ electronic components. FDB86102LZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB86102LZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB86102LZ Atributos do produto
Número da peça :
FDB86102LZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1275pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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