IXFN110N85X Preços (USD) [2005pcs Estoque]
- 1 pcs$23.76729
- 10 pcs$22.22682
- 100 pcs$19.27166
- Número da peça:
- IXFN110N85X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN110N85X electronic components. IXFN110N85X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN110N85X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN110N85X Atributos do produto
Número da peça :
IXFN110N85X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
850V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
425nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
17000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1170W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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