Toshiba Semiconductor and Storage - TK8P60W5,RVQ

KEY Part #: K6407435

TK8P60W5,RVQ Preços (USD) [143657pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28463
  • 2,000 pcs$0.28322

Número da peça:
TK8P60W5,RVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8P60W5,RVQ Atributos do produto

Número da peça : TK8P60W5,RVQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 80W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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