SSM6P16FE(TE85L,F) Preços (USD) [170037pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.16809
- 100 pcs$0.11042
- 500 pcs$0.06524
- 1,000 pcs$0.05019
- Número da peça:
- SSM6P16FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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SSM6P16FE(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
SSM6P16FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Series :
π-MOSVI
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11pF @ 3V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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