APT8M100B Preços (USD) [15306pcs Estoque]
- 1 pcs$2.96150
- 10 pcs$2.64552
- 100 pcs$2.16921
- 500 pcs$1.75654
- 1,000 pcs$1.48142
- Número da peça:
- APT8M100B
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT8M100B electronic components. APT8M100B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT8M100B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT8M100B Atributos do produto
Número da peça :
APT8M100B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1885pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
290W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 [B]
Pacote / caso :
TO-247-3
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