Vishay Siliconix - SI6415DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6393694

SI6415DQ-T1-GE3 Preços (USD) [113709pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32528
  • 3,000 pcs$0.28444

Número da peça:
SI6415DQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6415DQ-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI6415DQ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSSOP
Pacote / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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