STP9NK60Z Preços (USD) [36530pcs Estoque]
- 1 pcs$1.07034
- 10 pcs$0.96707
- 100 pcs$0.77712
- 500 pcs$0.60444
- 1,000 pcs$0.50082
- Número da peça:
- STP9NK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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STP9NK60Z Atributos do produto
Número da peça :
STP9NK60Z
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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