Taiwan Semiconductor Corporation - TSM950N10CW RPG

KEY Part #: K6396061

TSM950N10CW RPG Preços (USD) [582978pcs Estoque]

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Número da peça:
TSM950N10CW RPG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM950N10CW RPG Atributos do produto

Número da peça : TSM950N10CW RPG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1480pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 9W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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