FQPF6N80T Preços (USD) [70805pcs Estoque]
- 1 pcs$0.59655
- 1,000 pcs$0.59358
- Número da peça:
- FQPF6N80T
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF6N80T electronic components. FQPF6N80T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF6N80T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF6N80T Atributos do produto
Número da peça :
FQPF6N80T
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
51W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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