[2797pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPS70R600CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPS70R600CEAKMA1 electronic components. IPS70R600CEAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS70R600CEAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS70R600CEAKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS70R600CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
474pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
86W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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