TK90S06N1L,LQ Preços (USD) [102769pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.40357
- Número da peça:
- TK90S06N1L,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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TK90S06N1L,LQ Atributos do produto
Número da peça :
TK90S06N1L,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5400pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
157W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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