Infineon Technologies - IPC028N03L3X1SA1

KEY Part #: K6421014

IPC028N03L3X1SA1 Preços (USD) [325857pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32826

Número da peça:
IPC028N03L3X1SA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC028N03L3X1SA1 Atributos do produto

Número da peça : IPC028N03L3X1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Series : OptiMOS™ 3
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sawn on foil
Pacote / caso : Die

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