Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J129TU(TE85L)

KEY Part #: K6412953

[8426pcs Estoque]


    Número da peça:
    SSM3J129TU(TE85L)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J129TU(TE85L) Atributos do produto

    Número da peça : SSM3J129TU(TE85L)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
    Series : U-MOSV
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : UFM
    Pacote / caso : 3-SMD, Flat Leads

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