STQ1NK60ZR-AP Preços (USD) [472855pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.07822
- Número da peça:
- STQ1NK60ZR-AP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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STQ1NK60ZR-AP Atributos do produto
Número da peça :
STQ1NK60ZR-AP
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
300mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
94pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-92-3
Pacote / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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