DMN2022UFDF-13 Preços (USD) [615312pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06011
- 10,000 pcs$0.04731
- Número da peça:
- DMN2022UFDF-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2022UFDF-13 electronic components. DMN2022UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2022UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2022UFDF-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2022UFDF-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
907pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
660mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
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