Rohm Semiconductor - RS1G300GNTB

KEY Part #: K6403456

RS1G300GNTB Preços (USD) [113220pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,500 pcs$0.34652

Número da peça:
RS1G300GNTB
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1G300GNTB Atributos do produto

Número da peça : RS1G300GNTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4230pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSOP
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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