SPB80P06PGATMA1 Preços (USD) [48585pcs Estoque]
- 1 pcs$0.80478
- Número da peça:
- SPB80P06PGATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 80A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1 electronic components. SPB80P06PGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB80P06PGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB80P06PGATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPB80P06PGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
173nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5033pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
340W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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