Nexperia USA Inc. - PMXB40UNEZ

KEY Part #: K6416387

PMXB40UNEZ Preços (USD) [882277pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04192
  • 5,000 pcs$0.03698

Número da peça:
PMXB40UNEZ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB40UNEZ Atributos do produto

Número da peça : PMXB40UNEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 556pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010D-3
Pacote / caso : 3-XDFN Exposed Pad

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