IXYS - IXFH14N100

KEY Part #: K6407057

[1104pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFH14N100
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFH14N100 electronic components. IXFH14N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH14N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH14N100 Atributos do produto

    Número da peça : IXFH14N100
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
    Series : HiPerFET™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 360W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
    Pacote / caso : TO-247-3

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